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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3741
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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