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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2931
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-003.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-067.A00LF 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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