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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
52
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
52
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2182
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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