RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3663
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link