RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3297
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link