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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3297
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
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Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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