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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Puntuación global
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.0
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 43
    En -23% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2506 left arrow 2068

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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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