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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3090
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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