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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Puntuación global
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
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Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 14.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Razones a tener en cuenta
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 43
    En -19% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 12800
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 14.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2506 left arrow 2332

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