RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3233
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Informar de un error
×
Bug description
Source link