RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
43
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2928
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link