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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3990
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
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Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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