RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3151
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link