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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
1338
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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