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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
59
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2607
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
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