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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
59
En -111% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3835
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
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