RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
59
En -44% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
41
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3073
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link