RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
69
En -188% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3230
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link