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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
69
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2086
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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