RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
69
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3819
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link