RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
58
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2677
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link