RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
58
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2442
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link