RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
58
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2773
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link