RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
81
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
81
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1668
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link