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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3693
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
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