RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2202
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link