RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3961
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link