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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 13.4
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 46
    En -28% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.3 left arrow 1,519.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 3200
    En 5.31 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,909.8 left arrow 13.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,519.2 left arrow 10.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    241 left arrow 2466

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM

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