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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
60
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
2,096.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,096.4
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2455
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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