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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
60
En -82% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3462
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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