RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology 11137401 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology 11137401 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
65
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
1921
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link