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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3009
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
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