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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
65
En -150% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3692
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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