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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
65
En -71% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2509
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
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