RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
18.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
65
En -242% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
19
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
18.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3543
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link