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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Compara
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
56
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,501.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,161.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,501.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
381
2910
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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