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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Compara
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Puntuación global
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
52
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,906.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,672.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,906.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
698
3116
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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