RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
74
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
74
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
1344
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link