RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2863
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link