RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
10.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3080
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link