RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
20.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
4029
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link