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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
10.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3731
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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