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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Puntuación global
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Puntuación global
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    23 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 16.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.9 left arrow 9.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2591 left arrow 2591

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
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Memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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Memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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Memoria RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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Memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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