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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
35
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2426
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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