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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2968
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
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