RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2888
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link