RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En 6% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
35
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3331
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link