RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3473
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link