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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Compara
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
41
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
3125
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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