RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
4048
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link