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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3029
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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